碳化硅衬底市场分化：6英寸打价格战，8英寸稳利润

在电动汽车和AI数据中心800V高压直流需求的驱动下，第三代半导体碳化硅（SiC）衬底市场正呈现出6英寸与8英寸产品分化发展的格局。据供应链业者透露，国内厂商目前主要通过降价甚至亏本的方式销售6英寸SiC衬底，以此满足终端应用需求，并试图延缓8英寸产品的替代进程。

然而，6英寸产品的价格策略并不能阻挡市场需求向8英寸转移的步伐。业内人士指出，8英寸衬底在物理特性上具备显著优势。其可用面积比6英寸增加约1.8倍，大幅降低了晶圆边缘的裸片损耗。这使得单片8英寸晶圆产出的有效裸片数量显著提升，从而在划片后，单颗裸片的分摊成本已具备与6英寸产品竞争的实力。

此外，硅基半导体产业的工艺升级也为8英寸SiC发展提供了契机。随着台积电、联电等主流晶圆代工厂将核心生产平台转向12英寸工艺以满足AI需求，市场上释放了大量8英寸晶圆设备与产能，部分设备正被转型用于8英寸SiC晶圆的生产。

在中国台湾地区市场，世界先进直接切入8英寸领域，积亚半导体也已涉足相关制造；德微、环球晶等企业则向IDM模式发展。在国际市场上，英飞凌和意法半导体等IDM大厂早已开展8英寸SiC晶圆的制造与试产。由于这些产能必须采用8英寸衬底，这为衬底供应商提供了一条维持合理利润的发展路径。

尽管6英寸SiC衬底目前仍具价格优势，但8英寸晶圆厂更看重从衬底、晶圆、器件到模块的整体成本效益。特别是那些同时布局硅、碳化硅与氮化镓等功率半导体技术的国际IDM大厂，正通过8英寸产线来优化系统解决方案，以应对未来的长期需求。