碳化硅衬底价格战激烈，大陆厂商凭两大优势重塑市场

据半导体供应链业内人士透露，当前中国大陆6英寸碳化硅（SiC）衬底的单片报价已降至200至300美元（约合1355.70至2033.55元人民币）的极低水平。尽管面临激烈的价格竞争，部分本土企业仍在持续下调价格。业内分析认为，中国大陆厂商能够承受亏损继续销售，主要得益于两个核心因素。

一方面，本土企业具备旧设备折旧完成的轻资产优势。据了解，这些厂商目前使用的6英寸生产设备大多是在过去十到二十年间陆续引进的。在财务报表中，这些设备的折旧和资产成本早已摊销完毕，使得这部分产能几乎没有财务负担。与海外供应链相比，中国大陆厂商在价格战中展现出极强的财务承受能力。

另一方面，全球8英寸SiC衬底的良率不断提升，导致器件的单位成本开始对6英寸产品构成直接威胁。为了避免被迅速淘汰并争取向8英寸转型的缓冲时间，中国大陆6英寸衬底制造商采取了低于成本线销售的策略，以维持6英寸产品的市场生存空间。

目前，中国大陆6英寸SiC衬底的主要代表企业包括山东天岳、天科合达、同光、烁科和三安光电等。其中，山东天岳和天科合达已获得博世和英飞凌等国际大厂的材料采购订单；三安光电则与意法半导体在重庆合资建设8英寸SiC工厂。然而，随着新能源、锂电池和半导体等行业纷纷通过独资或战略合作进入SiC领域，衬底市场已从早期的产能紧缺转变为供过于求，导致价格竞争日益白热化。

中国大陆低价的6英寸SiC衬底让海外供应链感到压力，但产品质量和良率问题在业内仍存在不同看法。在AI数据中心领域，考虑到地缘政治因素，相关零部件倾向于采用海外供应链，但衬底并不属于敏感材料。部分企业出于成本考虑，会采购中国大陆的SiC晶锭，在境外进行切片、外延和晶圆制造等后续工序。从英伟达的功率器件和系统解决方案供应商来看，目前仍以英飞凌、意法半导体等传统IDM大厂为主，这些企业与中国大陆供应链有深度合作，但其SiC衬底并非完全依赖中国大陆。

此外，中国大陆SiC产业的快速崛起离不开政府的长期补贴和三大战略考量：一是确保半导体关键材料不受制于人；二是满足本土电动汽车、新能源和电网建设对大电流、高电压导电型SiC的刚性需求；三是将第三代半导体视为超越西方及中国台湾地区、日本传统半导体优势的突破口。在生成式AI引发的产业变革中，这三大战略支撑依然发挥着关键作用。

注：按1美元≈6.78人民币计算。