第10代V10 NAND技术：混合键合架构成新趋势

据媒体报道，第10代垂直快闪存储器（V10 NAND）作为最新的快闪存储器技术，正逐步成为行业焦点。这项技术主要采用“混合键合”（Hybrid Bonding）架构，吸引了包括三星电子（Samsung Electronics）和SK海力士（SK Hynix）在内的存储器巨头争相研发。

传统NAND技术通常是在晶圆上先制造控制电路（Peripheral），然后在其上方堆叠存储单元（Cell），例如SK海力士的Peri Under Cell（PUC）技术。然而，当堆叠层数超过300层时，底层电路承受的压力会显著增加，从而导致良率下降。

为了解决这一问题，V10 NAND转向混合键合技术，将存储单元与控制电路分别制造后再进行垂直键合。这种方式不仅缓解了应力问题，还通过优化空间布局提升了存储密度。

三星计划在2025年2月的国际固态电路会议（ISSCC 2025）上展示其V10 NAND技术。据悉，该技术的堆叠层数将超过400层，界面速度最高可达5.6 GT/s，并有望于2026年下半年实现量产。与此同时，SK海力士也被传出正在开发基于混合键合的300层等级V10 NAND。