三星与SK海力士或推迟HBM混合键合导入

据韩媒ZDNet Korea报道，三星电子与SK海力士正重新评估下一代高带宽存储器（HBM）引入混合键合技术的时间表。由于该技术在减薄芯片和改善散热方面的优势重要性有所降低，业界预计其全面应用节点可能从原定的HBM4E延后至HBM5。

当前HBM的量产封装主要依赖热压键合（TCB）工艺，该工艺利用微凸点和底部填充胶，在高温高压环境下实现DRAM层间的连接。相比之下，混合键合省去了微凸点，直接实现铜导线互连，不仅能有效降低整体厚度、优化散热和电源效率，还能支持更密集的I/O布局。

导致技术导入延后的关键因素之一是行业对HBM厚度标准的放宽。随着DRAM堆叠层数向12层和16层迈进，HBM4的厚度标准已从上一代的720微米提升至775微米。另有消息称，固态技术协会（JEDEC）正考虑将20层堆叠的HBM5等产品厚度上限从900微米调整至1000微米。厚度限制放宽后，层间间距无需进行极致压缩，从而降低了封装工艺的难度。

此外，英伟达等核心客户对高层数HBM的采购需求有所放缓。业内消息指出，当前16层HBM的市场热度尚未完全显现，HBM4E在初期阶段大概率仍将以12层堆叠产品为主力。

在散热解决方案上，三星电子和SK海力士近期相继发布了HPB和iHBM等新型散热技术，通过在HBM侧边增设散热组件来增强整体散热性能。这些替代方案技术门槛和商业化阻力较小，属于更为稳妥的选择，进而削弱了混合键合通过取消底部填充胶来改善散热的短期应用迫切性。

不过，两大存储巨头并未停止对混合键合技术的研发投入。HBM4的I/O数量已比HBM3E翻倍达到2048个，而未来的HBM5E更有望突破4096个。由于热压键合工艺中的微凸点在极高密度下容易出现向外扩散的问题，难以满足未来的设计需求，混合键合最终仍将成为不可或缺的技术路径。