HBM堆叠层数提升，韩国厂商加速布局混合键合技术

随着高带宽存储器（HBM）的堆叠层数不断攀升，业界对芯片间的键合精度及信号传输效率提出了更高要求。据相关消息，韩国本土的半导体材料与设备供应商正加快混合键合（Hybrid Bonding）技术的研发步伐。通过跨领域的协同合作，从集成化键合设备到高纯度、高选择性材料，全面布局新一代存储器技术的竞争高地。

据Nano Korea 2026论坛消息，三星电子旗下半导体设备子公司Semes研究所所长都贤镐表示，由于HBM堆叠层数增多且键合间距不断缩小，目前主流的热压键合（TC Bonding）技术将逐渐触及物理极限。他预计，在HBM5时代到来后，混合键合设备将迎来大规模应用。

都贤镐指出，混合键合设备的核心优势在于高度集成。该设备能够将硅片表面的等离子处理、清洗、对准、键合以及检测等一系列工艺整合在单一机台内完成，彻底改变了以往仅依靠单纯填料进行热处理的模式。以Semes为例，该公司依托现有的等离子与湿法清洗、键合设备技术积累，正逐步攻克相关技术难点，并携手客户推进联合研发。在技术门槛方面，精准度与空洞控制、宽范围的键合压力调节、铜污染防范以及大尺寸裸晶的翘曲控制是重中之重。

此外，Semes还在开发融合干法与湿法工艺的新一代设备。将原本由不同机台执行的表面处理与清洗工序整合，不仅能显著降低工艺成本，还能在缺陷率和均匀性方面取得优势。整体来看，半导体设备正打破传统前道八大工艺各自为战的局面，向跨功能集成方向演进。都贤镐强调，新一代半导体工艺需要材料与设备同步开发，Semes已联合半导体制造商和材料供应商开展三方合作。

在材料配套方面，同场参会的东进世美肯常务金贤振透露，为适应混合键合的加速导入，公司在化学机械抛光（CMP）领域正进行材料升级。过去主要用于消除堆叠结构高低差的传统氧化硅材料，正逐步被更精细、可控性更强的新型材料所取代，以满足混合键合对平坦度和反应选择性的严苛要求。金贤振进一步说明，高纯度、高对比度和高选择性是当前客户的核心诉求。为了兼顾这些特性，材料研发已突破单一有机材料的局限，开始引入有机无机复合材料及金属络合物等新型材料，以匹配客户端日益提升的工艺标准。

针对近期业界关于HBM混合键合技术导入可能延期的担忧，主要原因在于该技术难度较高，且引入新设备需要改造现有厂房设施并增加占地面积，高昂的转换成本可能导致时间表推迟。对此，都贤镐认为，客户最关注的始终是投资回报率（ROI）。企业将持续探索在现有基础上降低转换成本的方案。从长远来看，随着堆叠层数和性能需求的持续提升，采用混合键合技术将是行业发展的必然选择。