铠侠第10代NAND闪存送样，K2工厂将成量产主力

铠侠位于日本岩手县北上市的北上工厂，左侧是K2厂，右侧是K1厂。图源：铠侠

为了布局人工智能存储市场，铠侠（Kioxia）近期已开始向AI数据中心运营商发送第十代NAND闪存的样品。与此同时，该公司设在日本岩手县北上市的北上工厂第二厂区（K2）也于7月3日首次向媒体开放参观，该厂区未来将作为第十代NAND闪存的核心量产基地。

据彭博社和路透社等媒体报道，铠侠此次发布的高密度3D NAND闪存，主要针对AI数据中心在提升存储密度、加快数据传输速率以及优化能效方面的迫切需求。据悉，K2工厂计划于2025年9月正式投产，此次展示的核心正是铠侠最前沿的第十代BiCS FLASH技术，且相关样品已陆续交付给客户。

据了解，这款第十代NAND闪存由铠侠与闪迪（SanDisk）联合研发。铠侠方面表示，该产品在存储密度和裸片面积上，均实现了全球最高密度与最小尺寸的技术突破。在研发策略上，铠侠采用了“双轨开发战略”：一是在控制资本开支的基础上，推出兼顾成本与性能的第九代NAND等产品；二是通过增加堆叠层数，打造具备超大容量和卓越性能的第十代NAND闪存。

在性能与功耗方面，岩井Cosmo证券的分析指出，铠侠在高性能NAND领域的技术领先优势比竞争对手高出约两到四年，随着第十代产品的量产，这一优势有望继续扩大。相比之下，包括SK海力士在内的全球三大存储巨头，近年来的研发和资本开支主要倾斜于DRAM与HBM领域，高速NAND产品要实现大规模商用，预计最早也要等到2027年之后。业内分析认为，即便未来NAND市场的供需格局发生变化，高性能NAND领域的竞争态势演变仍需要较长的周期。