铠侠第10代3D闪存出样，计划2027年量产

据铠侠透露，其第十代3D NAND闪存工艺已取得实质性进展，目前成功生产出1Tb TLC样品并实现出货。据悉，该系列相关技术积累可追溯至2007年，主要面向智能手机、个人电脑以及数据中心等应用场景。据铠侠指出，首批样品已在日本北上工厂第二厂区（K2）完成出货，并计划于2027年正式投入量产。此外，该公司也在同步推进兼顾成本与性能表现的第九代产品线。

在技术架构方面，据铠侠说明，新一代工艺继续采用CMOS直接键合阵列方案。该方案利用晶圆键合技术，把独立制造的CMOS逻辑电路晶圆和存储阵列晶圆进行堆叠贴合。同时，新工艺引入了OPS（On Pitch Select Gate Drain）技术，通过剔除闲置的存储孔，有效缩短了位线长度，并大幅降低了字线的寄生电容。

在性能指标上，第十代NAND闪存的接口传输速率达到了每秒4.8Gb，相比上一代产品提高了33%。在功耗控制方面，其写入与读取的能效分别提升了18%和30%。此外，该工艺的堆叠层数增加到了332层，使得位密度较前代大幅增长了59%。