HBM需求激增，三星与SK海力士加速布局生产设施

据日经新闻（Nikkei）报道，随着人工智能（AI）服务器需求的快速增长，存储器市场正迎来一个超级周期。DRAM等存储器价格预计将在2025年秋季飙升约10倍，全球数据中心的快速扩建进一步推动了对高功能半导体设备的需求。

东京威力科创（TEL）社长河合利树表示，存储器厂商将从2026年开始大规模采购制造设备，以应对AI技术带来的存储器需求激增。与此同时，高带宽存储器（HBM）的投资也在迅速增加。NVIDIA等企业的AI芯片需要多颗HBM，这使得HBM供应持续紧张。韩国的SK海力士和三星电子正投入数十亿美元建设HBM生产设施，预计将于2027年至2028年左右投产。

HBM由多层DRAM堆叠而成，其制造过程需要更多的连接步骤，这将显著提升对相关设备的需求，例如用于晶圆电路成形的蚀刻设备。河合利树指出，随着DRAM微缩化的推进，存储电荷的电容器变得更细长，制造难度也更高。在蚀刻垂直深孔时，控制速度与形状的技术尤为关键，而TEL在这一领域具有显著优势。

为迎接这一超级周期，TEL正在加大研发投入。尽管预计2025年度（2025/4~2026/3）净利将同比下降10%，但其研发支出将同比增长16%，达到2,900亿日元（约合19亿美元），设备投资更将大幅增长48%，达到2,400亿日元（约合16亿美元），均创下历史新高。

根据QUICK FactSet的数据，过去5年中，TEL的营业利润与研发费用的比值为5.5倍，优于美国竞争对手Lam Research和Applied Materials的4.5倍与4倍。这表明TEL在研发效率方面具有显著优势。

此外，摩根士丹利MUFG证券（Morgan Stanley MUFG Securities）的数据显示，Lam Research在过去10年主导了全球蚀刻设备市场，市占率达40%~50%，而TEL以20%~30%的市占率紧随其后。TEL正逐步侵蚀竞争对手的市场份额，以巩固其在行业中的地位。