拼HBM5散热，三星与SK海力士打响AI存储战

随着人工智能半导体竞争逻辑发生转变，散热控制、堆叠稳定性以及封装良率已成为决定系统性能的核心指标。据英伟达首席执行官黄仁勋在解释供应链瓶颈时透露，当前的讨论范围已从单一的高带宽存储器芯片，扩展至晶圆、封装、连接器及硅光子学等领域，这表明产业链正经历重新定义。在此背景下，存储厂商纷纷在新一代产品上发力散热技术。

在Computex 2026展会期间，三星电子首度展出第八代高带宽存储器（HBM5）原型产品。据三星电子首席技术官宋载赫透露，HBM5引入了名为HPB（导热块）的散热设计。该结构采用铜基等金属材料集成于封装内部，其导热效率较传统聚合物材料提升500至1000倍。宋载赫表示，HPB相当于在芯片内构建了独立的传热通道，以快速导出核心区域的热量。此技术前期已在Exynos 2600移动处理器上应用，使散热效能提升约30%。目前，HPB已在HBM4E平台完成相关验证，并将应用于HBM5商用产品。据悉，HBM5将采用第六代10纳米级（1c）DRAM制程与2纳米逻辑工艺，计划于2028年前后实现量产。

针对三星的技术布局，SK海力士也推出了名为iHBM的替代方案。据报道，该方案在连接高带宽存储器与图形处理器的核心接口区域，植入了集成冷却元件（ICE），以实现对高热区域的精确降温。SK海力士方面表示，此项技术能够使热阻下降30%以上，并且与现有的系统级封装环境具备良好的兼容性，无需对设计进行大幅修改即可部署。