据清纯半导体官方消息，其最新推出的第三代碳化硅MOSFET技术平台，主推芯片型号为S3M008120BK，常温导通电阻仅为8mΩ，比导通电阻系数Rsp达到2.1 mΩ·cm²，达到了国际领先水平。这一技术突破使得新能源汽车电机驱动器能够进一步释放SiC高功率密度和高能量转化效率的潜力，从而有效提升续航里程。
图源：清纯半导体（图为清纯半导体1、2、3代产品比电阻Rsp变化）
官方资料显示，清纯半导体第一代产品的比导通电阻为3.3 mΩ·cm²，2023年发布的第二代产品降低至2.8 mΩ·cm²，2024年进一步优化至2.4 mΩ·cm²。此次第三代平台通过专利技术和工艺优化，在降低导通电阻的同时，保持了与前两代产品相近的优良短路耐受特性。
图源：清纯半导体（图为清纯半导体1、2、3代产品比电阻Rsp变化）
此外，S3M008120BK芯片的额定电压为1.2kV，额定电流超过220A，室温阈值电压典型值为2.7~2.8V。在同等芯片面积下，与上一代技术相比，导通损耗降低了约20%。同时，动态性能方面，该芯片寄生电容进一步降低，开关速度提高，并显著改善了MOSFET体二极管的反向恢复特性。
图源：清纯半导体（图为S3M008120BK芯片输出特性）
值得一提的是，清纯半导体与士兰微电子已深化8英寸SiC量产线的技术合作。士兰微电子预计2025年一季度完成8英寸SiC功率器件芯片制造生产线的封顶，四季度初步通线，2026年一季度进入试生产阶段。双方将共同开发沟槽型SiC MOSFET等新产品。
图源：清纯半导体（图为S3M008120BK芯片与2代同类产品反向恢复波形对比）
与此同时，VBsemi（微碧半导体）也发布了其第三代SiC MOSFET产品，针对电动汽车直流快充、储能系统（ESS）及双向充电（V2G）领域进行优化。据官方介绍，新产品采用先进SiC工艺，开关损耗降低50%以上，系统效率突破96%。相比IGBT方案，其热能损耗显著减少，冷却设计更加简化。
图源：VBsemi（图为VBsemi MOSFET为快充与储能优化设计）
VBsemi的第三代SiC MOSFET具备高功率密度，小封装设计（如T0247、T02474L）支持高电流输出，节省PCB空间。例如，型号为VBP112MC100的产品在100A电流下导通电阻仅为21mΩ，适用于大功率密集部署场景。全系列器件已通过严格的动态参数测试，确保在高温、高湿等严苛环境下的稳定性。
