总投资10亿元，利普思半导体加速第三代半导体布局

利普思半导体公司在江苏扬州的SiC模块封装测试基地建设正式启动。该项目总投资额高达10亿元人民币，占地32亩，建成后预计年产车规级SiC模块300万只，年销售收入可达10亿元，年税收贡献约5000万元。

利普思半导体成立于2019年11月，专注于第三代功率半导体SiC模块的封装设计、制造与销售，其产品广泛应用于新能源汽车、工业控制、新能源发电及储能等领域。公司总部位于江苏无锡，在无锡和日本均设有研发中心和生产线。

目前，利普思在无锡的生产基地已拥有两条生产线，分别用于生产SiC模块和IGBT模块，总年产能为90万个模块。其中，车规级SiC功率模块封装测试产线于2022年投产，年产预计30万个SiC模块。此外，利普思的日本子公司生产线年产能也为30万个模块。

近年来，利普思市场拓展迅速。2021年下半年，其SiC产品开始量产，并在2022年实现乘用车SiC模块产品的量产。2023年3月，公司完成逾亿元Pre-B轮融资。2024年，其SiC模块获得北美知名新能源汽车Tier1项目定点，预计2025年第三季度正式量产。

利普思的产品已广泛应用于新能源汽车、电动重卡、超级充电桩、储能、氢能、光伏、风力发电及电网等领域，并已进入欧洲和北美市场。公司还与上海交通大学成立“SiC模块应用联合实验室”，通过产学研合作推动技术创新。