国科半导体拿下超亿元融资，加速布局化合物半导体

近期，山西国科半导体光电有限公司顺利结束A+轮资金募集，融资金额超过亿元人民币。此次投资由中科院旗下的国科创投领衔，中信建投资本、长春朝盈以及湖南财鑫等众多产业资本和国资机构共同跟投。该企业指出，所筹资金将主要投入到核心技术的升级迭代、产品线的丰富以及大规模交付能力的构建中。

在技术储备方面，该企业长期深耕III-V族化合物半导体领域，构建了包含GaAs、InP以及GaSb在内的三大核心材料体系。相较于传统的硅基材质，这类化合物在高速光通信、激光发射、高灵敏传感及红外探测等维度展现出更为出色的物理特性。具体而言，GaSb主要用于中长波红外探测及相关光电器件；InP在高速光电转换、光互联和光通信方面表现优异；而GaAs则在射频、探测和激光等场景拥有扎实的应用根基。

在研发策略上，国科半导体采取了“后端共享+前端定制”的创新机制。底层封测、制造工艺等工程体系实现高度复用，而材料体系与器件结构则依据客户具体场景进行个性化定制，从而有效降低重复研发成本。现阶段，企业已沉淀出29套核心工艺配方，并能衍生出近680个SKU。

依托上述三大材料平台，其产品精准对接四大应用领域：一是服务于复杂环境感知与光电识别的态势感知领域；二是聚焦弱信号探测与高精度测量的量子信息及精密传感领域；三是提供光电控制与激光器件的精密加工领域；四是利用InP材料优势，满足芯片间及数据中心内部低功耗、高速光互联需求的AI光互联领域。

在完成此次募资后，国科半导体还准备开启新一轮融资，核心目标在于推动产业化进程、促进主力产品销量增长、提升平台综合实力并保障重点客户的订单交付。同时，企业也将持续加大研发与产能建设力度，深化与各方资源的协同合作。