台积电砸千亿美元赴美建厂

据台积电公布的财务数据，其2026年第二季度利润创下历史新高，第三季度营收业绩指引也超出了外界预期。同时，该公司将全年美元营收的增长预期上调至40%以上，并计划将2026年的资本开支提升至600亿美元（约人民币4066.97亿元）至640亿美元（约人民币4338.10亿元）。不过，业界更加聚焦于其第三季度毛利率的下滑、在美国亚利桑那州追加的1000亿美元（约人民币6778.28亿元）投资，以及其公布的全球产能规划。

据供应链消息，台积电正在对全球制造资源进行重新分配。随着人工智能需求的不断增长、美国推进半导体产业本土化，以及全球芯片代工市场竞争加剧，这三大因素正在改变以往以中国台湾地区为核心的生产格局。这也意味着，海外建厂带来的成本上升和毛利率压力在短期内难以消除。

台积电首席执行官魏哲家指出，追加的1000亿美元（约人民币6778.28亿元）投资将主要用于建设2纳米及更先进工艺节点的晶圆厂和先进封装厂，以满足美国客户未来几年的需求。目前，亚利桑那州已规划了6座晶圆厂、2座先进封装厂和1座研发中心。在此次新增4座晶圆厂后，该地区将打造一个完整的AI半导体制造产业集群，美国也将由此成为台积电最重要的海外生产基地。

据供应链分析，这笔巨额投资并非单纯受政治因素驱动。魏哲家在业绩说明会上多次强调，产能规划不仅基于直接客户的需求，还与云服务提供商等终端客户就AI数据中心建设、电力及基础设施配置进行了深入探讨。考虑到晶圆厂从研发、建设到量产通常需要五年以上的时间，台积电目前的资本开支主要是为了布局2028年至2030年之后的AI市场，而非应对短期的行业周期。

关于毛利率问题，台积电财务总监黄仁昭在业绩说明会上透露，海外晶圆厂已经开始对毛利率产生一定的稀释作用。第三季度毛利率预计维持在65%至67%之间，中位数约为66%。具体而言，2纳米工艺的量产预计将在2026年下半年使毛利率下降约3到4个百分点。此外，海外工厂在量产初期的未来几年内，仍将导致毛利率下降约2%至3%，后续这一比例甚至可能扩大至3%到4%。

除了AI需求和美国政策的推动，全球芯片代工市场的激烈竞争也是台积电不断增加资本开支的重要原因。目前，三星正积极投入2纳米GAA工艺、高带宽内存（HBM）及先进封装领域，试图结合其存储芯片优势和美国本土制造来争夺订单；英特尔则在推进18A和14A工艺，以及EMIB和Foveros等先进封装技术。

据供应链分析，台积电在美国追加投资，既是为了满足AI客户未来几年的需求，也是在美国政策的强力推动下，重新构建全球供应链布局的必然选择。面对海外建厂带来的成本上升和毛利率压力，台积电必须保持强大的技术领先优势，以巩固其在AI时代芯片代工领域的主导地位，从而从容应对三星和英特尔等竞争对手的挑战。

注：按1美元≈6.78人民币计算