传英特尔评估1.4纳米双面供电技术

据韩媒Chosun Biz与ET News引述业界消息透露，英特尔正在为其下一代1.4纳米工艺节点（14A2）规划全新的技术路线，目前正考虑引入芯片正反面同时供电的混合架构。

在传统的芯片设计中，电力通常从正面输送。近年来，将电源线转移至晶圆背面的背面供电网络（BSPDN）逐渐成为新一代工艺的关键技术。而英特尔现在进一步探索双面供电（Dual Side）方案。这种设计能够有效缩短电力传输路径，减少电压降（IR Drop）问题，从而显著提升芯片的性能与能效。然而，该方案也会使工艺结构更为复杂，不仅增加了制造难度，也给良率控制带来了更大压力。目前这项技术仍在评估中，最终是否采用尚待确认。

在先进工艺的竞争格局中，各大厂商采取了不同的战略。英特尔此前在18A工艺中同步引入了全环绕栅极（GAA）晶体管架构与PowerVia背面供电技术，试图抢占技术先机。由于在20A和18A工艺中同时首次引入这两项技术，英特尔目前仍面临较大的良率提升挑战。

三星电子的策略与英特尔有相似之处，其在全球率先将GAA技术应用于3纳米工艺量产，并计划在2027年量产的2纳米增强型工艺（SF2Z）中引入背面供电技术。不过，三星是在相对成熟的2纳米GAA架构基础上叠加背面供电，整体技术风险相对较小。

相比之下，市场份额领先的台积电则采取了更为稳健的发展路径。台积电计划在2纳米工艺中才引入GAA技术，而背面供电技术预计将在A16工艺节点开始应用。

业界分析指出，在晶圆代工领域，市场领导者通常倾向于使用经过充分验证的成熟技术，以确保稳定的良率和量产能力；而作为追赶者的英特尔和三星电子，则更愿意承担较高的技术风险，试图通过差异化的创新技术来打破现有的市场格局，争取竞争优势。