英特尔推双面供电新工艺，迎战台积电三星1.4纳米

据报道，面对台积电和三星在1.4纳米节点的技术布局，英特尔正筹备在现有14A工艺之外，额外开发代号为14A2（即14A Gen2）的升级版制造工艺。

在技术路线方面，为了克服先进工艺中互连尺寸持续微缩所引发的难题，该升级版本拟采用前后双面供电设计。这意味着在原有的背面供电架构上，会继续保留一定比例的正面供电结构。

据悉，基础的14A节点将引入PowerDirect背面供电方案，把供电网络移至晶圆背部。而作为半节点演进的14A2，则着眼于进一步缩减最低金属互连层（M0）的间距。具体而言，M0间距有望从14A的大约28纳米缩减到21纳米左右。此举不仅能有效增加晶体管密度，还能提升高数值孔径极紫外（High-NA EUV）光刻机的使用效益。

根据规划，英特尔预计在2026年10月向外部客户交付14A工艺的0.9版设计套件（PDK），并力争在随后的一年半内拿下大型无晶圆厂芯片设计公司的订单。该工艺定于2028年开启风险试产，并于2029年正式投入量产。在竞争对手方面，台积电的A14工艺预计于2027年末进行试产，2028年下半年实现量产；三星的1.4纳米工艺同样瞄准2029年量产。这三大芯片制造巨头即将在1.4纳米世代展开激烈角逐。