台积电授权世界先进氮化镓制程技术

台积电（TSMC）近日将其650V高压和80V低压两种类型的氮化镓（GaN）制程技术授权给参股的特色工艺晶圆代工企业世界先进（VIS）。这一授权使得世界先进能够进一步扩展其硅衬底氮化镓（GaN-on-Si）工艺制程，进入高压应用领域，从而构建起完整的GaN-on-Si技术平台。

世界先进原本已拥有GaN-on-QST制程平台，此次授权使其成为全球首家能够同时提供两种不同衬底氮化镓高低压工艺的晶圆制造服务公司。借助台积电的技术支持，世界先进计划打造一个与现有技术无缝衔接的氮化镓制程平台，并在成熟的八英寸晶圆生产平台上进行验证，以确保制程的稳定性和高良率。

按照规划，相关开发工作预计在2026年初正式启动，并计划于2028年上半年实现量产。