集创北方联合清华等推出首款RRAM AMOLED驱动芯片

近日，集创北方联合清华大学集成电路学院团队与新忆科技，共同推出了首款基于自研RRAM存储技术的AMOLED显示驱动芯片（DDIC），命名为“集忆智显”系列R100芯片。该芯片首次在AMOLED显示驱动芯片中应用RRAM技术，得到了中芯国际、北方集成电路创新中心及维信诺等企业的技术支持，目前已通过多轮可靠性测试，满足大规模量产要求。

AMOLED显示屏在使用过程中可能会出现亮度不均匀的问题（即mura现象）。传统方案通过内置Demura SRAM、OTP和外置闪存的架构设计，将补偿数据从内向外传输烧录，但这种方式存在数据写入速度慢、产线效率低和成本高等问题。

RRAM（阻变存储器）技术通过替代芯片内部的Demura SRAM和OTP，并取消外置闪存，实现了“三位一体”的功能集成。采用RRAM技术不仅将原SRAM面积缩小了40%，降低了芯片成本，还提升了数据存储容量和Demura补偿精细度，从而优化面板显示效果、提升模组良率并降低生产成本。此外，该技术减少了数据在存储器间的传输步骤，直接“原地”读取，使烧录时间缩短近50%，显著提高了生产效率。

运用DemuraRGB补偿数据绘制而成的logo效果图

“集忆智显”R100芯片支持最高1320×2900分辨率的OLED面板驱动，集成LTPO3.0动态变频技术，可实现1-144Hz无缝帧率切换，在保障流畅视觉体验的同时精准控制功耗。在画质优化方面，R100集成了Demura补偿、Deburin、R/N等算法，并配合13bit dbv高精度亮度调节，实现从细腻灰阶到高亮场景的全维度画质提升。针对折叠屏设备，芯片支持级联驱动方案，适配旗舰手机及折叠屏机型的复杂显示架构，满足高端终端对显示驱动的严苛需求。

AMOLED显示驱动芯片的系统架构对比图