银河微电投资3.1亿元建设高端分立器件基地

7月11日，银河微电发布公告称，将投资3.1亿元启动“高端集成电路分立器件产业化基地一期厂房建设项目”。该项目选址于江苏常州市新北区薛家镇，预计建设周期为30个月。资金主要用于土地购置和厂房土建，为后续引入先进设备、打造智能化生产线奠定基础。

图源：银河微电公告截图

公开资料显示，银河微电主要产品包括小信号器件、功率器件、光电器件、电源管理IC以及第三代半导体器件（如SiC和GaN）。这些产品广泛应用于汽车电子、工业控制、新能源和5G通信等领域。

产能瓶颈显现，扩产迫在眉睫

2025年一季度，银河微电实现营收2.18亿元，同比增长12.11%。然而，归母净利润为610.02万元，同比下降64.77%；扣除非经常性损益的净利润仅96.11万元，同比下降91.44%。据公司披露，利润下滑的主要原因是市场竞争导致产品毛利率下降，以及新设控股子公司带来的固定资产折旧和管理费用增加。此外，2024年全年营收达9.09亿元，同比增长30.75%；归母净利润为7187.42万元，同比增长12.21%。尽管订单持续增长，但受限于生产场地、设备和人力资源，公司产能已无法满足市场需求。

第三代半导体技术助力扩产

银河微电在传统硅基产品基础上，成功开发了SiC MOSFET和GaN HEMT芯片设计能力，并已实现小批量出货。今年3月，公司与复旦大学联合发布了“新能源汽车用SiC MOSFET关键技术研发阶段成果”，其中1200V车规级SiC芯片已完成三轮流片，并通过AEC-Q101可靠性验证，预计将在2025年第四季度导入一期基地的小批量生产线。

在GaN HEMT领域，银河微电于2023年11月与晶通半导体签署战略合作协议，并于2025年6月在6英寸产线上成功完成650V/900V HEMT工程批生产，DFN8×8和TOLL两种封装良率均达到92%以上。公司计划将GaN器件优先应用于快充和服务器电源市场。

此外，银河微电在技术研发方面也取得了显著进展。今年5月，公司披露了12个已结题或在研项目，其中多项与扩产密切相关。例如，超低阻抗TO-247-4L SiC MOS封装平台已具备车规级量产能力；6英寸平面芯片平台已完成稳压二极管、高频开关二极管全系列开发，可直接移植到新厂房；Clip Bond功率MOSFET和IPM智能功率模块均已进入量产阶段，计划在2025年内同步迁入新基地以扩大生产规模。