英特尔、台积战场扩大 先进封装百亿美元投资设下高门槛

继先进制程激战交火，接下来台积电、英特尔（Intel）与三星电子（Samsung Electronics）3D先进封装关键战役将接棒演出，三大厂多年前即展开战力部署，陆续释出最新先进封装技术。

其中，英特尔为让外界更了解IDM 2.0转型战略，首度公开曝光马来西亚封测据点。英特尔亚太暨日本区（APJ）总经理Steven Long表示，英特尔加快挥军先进封装战场，继美国奥勒冈州、新墨西哥后，马来西亚也将扩建全新先进封装厂，预计2024~2025年量产，将是英特尔规模最大的先进封装一条龙据点，预计至2025年底，三厂总计Foveros 3D先进封装总产能将比2023年成长4倍。

台积电、英特尔与三星先进制程技术战场持续扩大，7纳米以下暂由台积电取得领先，稳取全球晶圆代工6成市占，6月宣布产品设计与制造内部分拆大计的英特尔，信心喊出提前在2024年超越三星，成为全球晶圆代工第二大。

晶圆代工业者表示，先进制程已逼近物理极限，接下来先进封装将是胜负关键战役，有先进制程一条龙服务的三大厂，再以钜额资本支出、研发技术实力立下高门槛，将日月光等OSAT厂阻绝在外，也就是3D先进封装，甚至是2.5D封装时代将延续先进制程战局，三星、英特尔与台积电可能形成对决情势。

其中，台积电一条龙头服务稳取先进封装订单，如NVIDIA近期最热门的H100 AI GPU采用台积电4纳米制程，并采用CoWoS先进封装，即使产能大缺，三星或其他OSAT厂至多只能取得后段外溢订单。

在先进封装部署上，台积电已公布3DFabric系统整合技术，包含各种先进的3D矽堆叠和先进封装技术。例如超微（AMD）将在第4季量产的MI300，就采用台积电Chiplet封装技术，整合CPU、GPU及HBM3，以SoIC搭配CoWoS量产。

另也传出苹果（Apple）正规划SoIC搭配InFO的封装方案，将由MacBook率先导入，最快2025~2026年量产，二大客户将会是台积电冲刺3D先进封装产能翻倍的重要关键。

台积电近期也宣布重大扩产计划。继桃园龙潭、竹科、台中与南科4座封测厂后，竹南六厂正式启用，预估将创造每年上百万片12寸晶圆约当量的3DFabric制程技术产能，为台积电目前幅员最大的封测厂，接着再续扩CoWoS产能，加码宣布投入新台币900亿元在苗栗铜锣建置新厂。

另一方面，英特尔也大壮气势，加速4年5个制程节点目标，强化先进制程技术外，也透过先进封装技术在同样的面积上3D堆叠增加运算能力，近日首度对外展示马来西亚封测部署，大秀技术与产能实力。

Steven Long表示，英特尔投资马来西亚已达80亿美元，接下来将再投资60亿美元，加速1座3D先进封装厂和1座封装测试厂兴建计划，跃升成为英特尔最大规模先进封装一条龙据点，预计2025年Foveros 3D先进封装总产能将比目前成长4倍。

事实上，在英特尔IDM 2.0策略中，先进封装将是能否弯道超车的关键所在。英特尔除宣布亚马逊AWS为首家采用英特尔晶圆代工服务（IFS）「封装解决方案」的客户外，近期也与EDA大厂Synopsys合作，IFS的Intel 3和18A先进制程客户，将能取得Synopsys的IP授权。

据了解，英特尔、台积电持续改进先进封装技术蓝图，如导入玻璃基板材料，及共同封装光学元件（Co-Packaged Optics；CPO），最先进封装技术让整合光学I/O成为可能。

英特尔已陆续完成封装整合光学信号传输的展示，在交换器的封装上，以电气界面连结位于封装中央的交换器晶粒 与四周的光子引擎元件，进一步透过EMIB连结两者，提升带宽并降低功耗。

英特尔认为，I/O传输效率未来将仰赖光学共同封装，也将是接下来先进封装决胜关键。

责任编辑：朱原弘