三星电子的第五代10纳米级（1b）DRAM良率已超过60%，但因其最初设计未考虑高带宽存储器（HBM）应用，故难以用于HBM产品线。

目前，三星在HBM3、HBM3E中采用的是第四代10纳米级（1a）DRAM，而竞业者SK海力士和美光则采用1b DRAM，三星产品落后一代。

对于2025年底规划量产的HBM4，三星计划采用第六代10纳米级（1c）DRAM超车。分析认为，现阶段1b DRAM不太可能应用于HBM。三星在1b DRAM设计之初未考虑HBM应用，因此难以改造使其适用于HBM产品。

在DRAM产业中，国内业者正猛烈追赶韩国企业。国内最大存储器制造商长鑫存储计划将DRAM月产能大幅提高，若国内大幅增加DRAM出货量，将影响三星等既有厂商的业绩表现。

为摆脱困境，三星将目光投向1b DRAM，并计划快速扩充产能。业界相关人士指出，三星急于转换到1b DRAM制程的原因之一即为国内企业的竞争压力。