三星电子第六代10纳米级（1c）DRAM近日首次确保良率，标志着三星克服了1c DRAM的技术难关。据韩媒报道，三星内部对此表示乐观，认为这将加快提升良率的速度，并推动既定的发展蓝图。

三星计划将1c DRAM应用于2025年量产的第六代高带宽存储器（HBM4）中，以扭转在HBM市场上的劣势。此前，在HBM3E竞争中，三星落后于SK海力士。但此次1c DRAM良率的突破，让三星看到了追赶竞争对手的希望。

据悉，三星存储器事业部的气氛因这一好消息再次活跃，多位开发人员向职员表达感谢之情，并鼓励大家“创造三星的秋天”、“扭转局面”。

虽然三星在HBM技术和DRAM时代上落后于竞争对手，但凭借特有的执行力，三星有望加快良率提升的速度。如果未来三星能全力提升良率，并在HBM4上率先搭载1c DRAM，就有可能扭转在HBM市场上的劣势。