三星电子近期正面临前所未有的挑战，特别是在其半导体业务领域。代工业务的停滞以及在高带宽存储器（HBM）领域竞争力的下滑，为三星的未来发展蒙上了一层阴影。
据业内消息透露，三星为了增强HBM的竞争力，正考虑对其部分1a DRAM电路进行重新设计。这一举措的背景是，三星原计划在2024年第三季度向英伟达供应HBM3E，但8层产品未能通过质量测试，而12层产品的量产时间也可能推迟至2025年的第二或第三季度。
专家指出，三星HBM3E面临的主要问题是其DRAM技术存在缺陷。由于HBM通过垂直堆叠多个DRAM芯片来实现高性能，因此底层DRAM技术的质量至关重要。三星在DRAM制造中率先引入了EUV（极紫外）技术，然而这一举措似乎并未达到预期效果。在DRAM生产中使用EUV降低了工艺稳定性，导致成本降低的目标未能实现。
此外，三星的DRAM设计，特别是用于服务器的DRAM，也并非尽善尽美。这也是三星在服务器DDR5领域推出时间晚于竞争对手的原因之一。SK海力士在2023年1月率先获得英特尔认证，并推出了基于其1a DRAM的服务器DDR5产品，进一步凸显了三星在这一领域的劣势。
