三星面临半导体领域的挑战，其中HBM竞争力不足备受关注。据业界消息，为从根本上解决这一问题，三星正考虑重新设计1a DRAM部分电路。

原计划自2024年第3季向NVIDIA供应的HBM3E，目前8层产品未通过品质测试，12层产品也可能推迟至2025年第2或第3季。韩国专家指出，问题在于DRAM，HBM的效能取决于DRAM。

三星在DRAM领域率先导入EUV技术，但1a DRAM的量产过程中，EUV技术难度导致制程稳定性降低，成本未降。此外，DRAM设计本身存在问题，导致DDR5应用时机落后竞争对手。

据传三星8层HBM3E在数据处理速度上较竞争对手低约10%。为恢复DRAM和HBM竞争力，三星内部正讨论重新设计部分1a DRAM电路，但尚未做出最后决定。

若重新设计，预计至少需6个月才能完成，最快2025年第2季量产。即使过程顺利，适时供应产品也非易事。三星应持续尝试，最终通过HBM3E品质认证，还是果断放弃，取决于是否修改1a DRAM设计。