三星电子正在全力开发1c DRAM，被视为其追赶高带宽存储器（HBM）竞争对手的关键。为加速1c DRAM量产和第六代HBM4产品开发，三星已调派系统LSI和晶圆代工事业部的工程师至存储器事业部支援。

据韩媒报道，1c DRAM对三星HBM竞争力提升至关重要。此前，三星HBM3、HBM3E对NVIDIA出货延迟，被指因采用较低代的1a DRAM所致。而1c DRAM有望成为三星HBM4的主角，助其弯道超车。然而，部分业界人士对此持怀疑态度，担忧三星可能颠覆DRAM和HBM的技术流程及惯例。

与三星不同，SK海力士和美光HBM4将采用1b DRAM。三星希望通过采用更先进的DRAM，加速提升HBM竞争力。但三星需要在短时间内同时提升1c DRAM良率和效能，才能大幅提升HBM竞争力。

目前，三星已获得1c DRAM的“良品晶粒”，但良率可能不及10%，仍需完成封装、通过客户品质认证等多个商用化流程。

此外，三星会长李在熔已拍板将系统LSI和晶圆代工事业部的开发人员转移至存储器事业部，加速提升HBM等新一代存储器技术，以解决三星半导体的危机。三星与晶圆代工竞争对手台积电的合作也显示其夺回HBM第一的决心。