SK海力士公司宣布启动全球首次12层高带宽存储器（HBM）3E的量产，并已向ASMPT订购了超过30台热压缩（TC）键合设备用于生产。这种键合设备对于HBM的生产至关重要，尤其是在垂直堆叠多个DRAM芯片模组时。

SK海力士计划通过堆叠12颗3GB DRAM芯片，在保持与现有8层产品相同厚度的同时，将容量提升50%。为此，公司将单个DRAM芯片制造得比以往薄40%，并采用硅通孔技术（TSV）进行垂直堆叠。此外，SK海力士还采用了MR-MUF（批量回流底部模制填充）技术来粘合HBM存储器，提高了散热性能并确保了稳定性和可靠性。

在测试中，SK海力士确定ASMPT的设备性能优于韩国半导体设备制造商Hanmi Semiconductors的设备。Hanmi Semiconductors曾是SK海力士TC键合设备的主要供应商，但随着ASMPT和韩华精密机械等竞争对手的进入，市场格局正在发生变化。

12层HBM3E预计将与英伟达的Blackwell以及AMD的MI325、MI350等人工智能加速器配合使用。研究机构预测，到2025年，HBM3E将占HBM需求的80%，其中一半将来自12层HBM。

SK海力士强调，公司是唯一一家开发并向市场供应全系列HBM产品的企业，并在业界率先成功量产12层堆叠产品，满足了人工智能企业的增长需求，进一步巩固了其在面向AI的存储器市场的领导地位。SK海力士AI Infra负责人表示，公司将继续准备下一代存储器产品，以应对AI时代的挑战。