SK海力士宣布成功量产12层HBM3E，实现业界领先的36GB大容量，较之前8层产品仅隔6个月。该新品在速度、容量及稳定性上均达业界顶尖，运行速度高达9.6Gbps，能显著提升大型语言模型处理效率。

通过创新技术，SK海力士在保持厚度不变的同时，将容量提升50%，归功于更薄的DRAM芯片与先进的TSV堆叠技术。此外，其改良的散热与防翘曲技术确保了产品的稳定性和可靠性。

SK海力士计划于2024年内向市场推出此款产品，特别是针对NVIDIA Blackwell架构芯片等高端客户。

随着NVIDIA Blackwell芯片量产加速，预计第四季度出货量将达45万颗，结合HBM3E的高价值，有望显著推动SK海力士业绩增长。

公司社长金柱善强调，此次突破彰显了SK海力士在AI存储器市场的领导地位，并正积极筹备下一代存储器产品以应对AI时代的需求。