SK海力士近日宣布成功量产其最新的12层HBM3E芯片，成为业界首个提供36GB容量的高带宽内存产品。这款新芯片在厚度上与现有的8层产品保持一致，但容量却提高了50%，展现出卓越的技术创新。其数据传输速率高达9.6Gbps，足以支持大型语言模型（如‘Llama 3 70B’）的高效运行，每秒可读取35次700亿个参数。

这一突破不仅巩固了SK海力士在高性能内存领域的领导地位，同时也为整个行业带来了积极的变化。随着HBM技术的持续演进，预计该产品将在年内交付给客户，助力更复杂的AI应用和高性能计算。

不仅SK海力士在加速推进HBM产品的研发，美光和三星等竞争对手也在紧锣密鼓地布局。美光已经开始向行业合作伙伴交付12层HBM3E芯片，并计划在2025年提升生产量。三星同样准备在下半年供应其新款HBM3E芯片，显示出行业的蓬勃发展。

根据CFM闪存市场的数据，预计到2024年底，三大厂商的月产能将达到30万片，HBM市场也将迅速增长，预计明年规模将超300亿美元，显示出高带宽内存在未来DRAM市场中的重要性。SK海力士的创新无疑将引领行业迈向一个崭新的高峰，值得期待！