SK海力士于近日宣布全球率先实现12层堆叠HBM3E的量产，标志着AI存储技术迈入了一个全新的高度。这款新品不仅将存储容量提升至前所未有的36GB，更是在速度、稳定性和能效上树立了新的标杆。

SK海力士此次推出的12层HBM3E，通过革命性的设计，实现了在维持整体厚度不变的前提下，容量较上一代产品激增50%。这一成就得益于公司成功将DRAM芯片厚度缩减40%，并巧妙运用硅通孔（TSV）技术实现垂直堆叠，从而在有限的空间内塞入了更多的数据存储空间。其运行速度飙升至9.6Gbps，为AI应用提供了前所未有的数据处理速度，尤其是在处理大型语言模型如Meta的Llama 3 70B时，展现出惊人的效率。

在追求极致性能的同时，SK海力士并未忽视产品的稳定性和可靠性。针对高堆叠带来的结构挑战，公司创新性地引入了先进MR-MUF工艺，有效提升了放热性能10%，并显著增强了控制芯片翘曲的能力。这一技术突破不仅确保了HBM3E在高强度运算下的稳定运行，更为其大规模量产铺平了道路。