SK海力士押注HBM3E:利川DRAM线转型
来源:ictimes 发布时间:4 天前 分享至微信

据韩国媒体TheElec透露,鉴于高带宽存储器(HBM)市场需求的持续攀升,SK海力士已决定将位于韩国利川的M10F DRAM生产线全面转型为先进的HBM3E生产线。


据悉,M10F生产线的改造工程正紧锣密鼓地进行中,预计将于2025年第一季度完成所有设备的安装调试工作,并于同年第四季度正式开启HBM3E的量产之旅。


值得注意的是,SK海力士目前已是英伟达、Google、亚马逊等全球顶尖人工智能公司的重要供应商,为其提供用于AI推理的高性能存储器解决方案。此次M10F生产线的转型,无疑将进一步提升其产品的竞争力,满足这些科技巨头对高性能HBM的旺盛需求。


据估算,改造完成后的M10F生产线将具备每月生产10,000片HBM3E的能力,尽管这一数字相较于SK海力士现有的HBM产能规模较小,但足以使公司整体的HBM月产能跃升至150,000片的新高度。


然而,SK海力士在扩张HBM产能方面却显得相对谨慎。面对三星、美光等竞争对手的产能扩充以及中国某存储器厂的强势入局,SK海力士选择了将有限的资源聚焦于最新一代HBM3E的生产上,以期通过技术领先实现差异化竞争。


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