全球第二大存储器芯片制造商SK海力士宣布，计划于9月底开始大规模生产高频宽存储器HBM3E 12层芯片。这一消息是由SK海力士总裁兼人工智能基础设施部门负责人Justin Kim在中国台湾台北的Semicon Taiwan行业论坛上发布的。
HBM3E是一种高性能的动态随机存取存储器（DRAM），专为处理复杂的人工智能（AI）任务而设计。与传统DRAM相比，HBM芯片采用垂直堆叠结构，节省空间的同时降低功耗，是AI图形处理单元（GPU）的关键组件。
SK海力士在HBM市场的战略布局中，已经披露了从第四季度开始发货12层HBM3E，并计划在2025年下半年开始发货更先进的HBM4。公司总裁Kim Ju-Seon在论坛上强调了中国台湾在全球半导体产业中的重要性，并提到AI领域面临的挑战，包括电力供应、冷却和存储器频宽需求。
SK海力士正致力于开发能效更高、功耗更低、容量更大的AI存储器，并针对不同应用推出相应的解决方案。公司还在韩国龙仁市建立了新设施，并计划在美国印第安纳州投资建设新厂，专注于HBM先进封装技术。
Kim Ju-Seon表示，SK海力士将专注于AI业务，以AI为中心构建基础架构，并希望成为生态系统中的核心角色，与合作伙伴共同克服挑战，在AI时代实现目标。随着12层HBM3E芯片的量产，SK海力士在推动AI存储技术发展方面迈出了重要一步。
