在半导体行业迎来新突破的消息中，9月10日的公告尤为引人注目。汉磊科技与世界先进集成电路股份有限公司正式宣布达成战略合作协议，携手推进8英寸碳化硅（SiC）晶圆的技术研发和生产制造。
这一合作将通过世界先进斥资5.5亿元人民币认购汉磊科技13%的股权，从而建立起双方在SiC领域的深度合作关系。预计这一产线将于2026年下半年开始量产，为全球集成电路制造商提供具竞争力的SiC解决方案。
汉磊科技董事长徐建华表示，此次合作不仅将提升双方的技术平台，更将促进全球市场的技术创新和产能提升。世界先进董事长方略也强调，此次合作将弥补现有技术的不足，为电源管理产品市场带来更全面的技术支持，并推动低碳绿色技术的发展。
与此同时，合盛硅业旗下的合盛新材料宣布，其8英寸导电型4H-SiC衬底项目已实现全线贯通。这些衬底在微管密度、电阻率及结晶质量等方面表现优异，标志着合盛在SiC材料领域的技术实力已经达到国际先进水平。此外，合盛还宣布上海研发制造中心项目顺利封顶。
