香港科技园公司与麻省光子技术（香港）有限公司合作，于7月30日启动了香港首条超高真空第三代半导体氮化镓（GaN）外延片中试线。此举标志着香港在微电子产业的发展上迈出了重要一步。

麻省光子技术计划投资至少2亿港元，在香港科学园建立首个GaN外延工艺全球研发中心，并在创新园设立首条超高真空量产型GaN外延片中试线。预计项目完成后，将为香港创造超过250个微电子相关就业职位，推动经济发展。

氮化镓作为第三代半导体的主要材料，以其优越的物理特性，在多个领域有着广泛应用。全球氮化镓市场规模正迅速增长，预计从2022年的1.8亿美元增长至2026年的13.3亿美元，年复合增长率达65%。

香港特区政府积极推动第三代半导体产业发展，已批准28.3亿港元投资建立香港微电子研发中心，并计划年内成立微电子研发院，设立碳化硅和氮化镓两条中试线，支持初创和中小企业的试产、测试和认证，促进产学研合作。

这一项目的启动，不仅展现了香港在高科技领域的雄心，也为全球半导体产业的发展注入了新的活力。随着氮化镓技术的不断进步和应用领域的拓展，香港有望成为全球第三代半导体产业的重要基地。