合盛硅业旗下宁波合盛新材料有限公司近日宣布，其8英寸导电型4H-SiC衬底项目已成功实现全线贯通，标志着公司在第三代半导体材料领域取得重大技术突破。经过五年的技术攻关，合盛新材料在高纯石墨纯化、碳化硅多晶粉料制备、单晶碳化硅生长及衬底加工等关键环节取得显著进展。

该项目自2023年起专注于8英寸导电型4H-SiC衬底技术的研发，经过近两年的技术迭代，现已实现高质量产品的稳定量产。产品在微管密度、4H晶型面积比例、电阻率等关键性能指标上表现卓越，微管密度降至0.05/cm²以下，4H晶型面积比例达到100%，电阻率稳定在0.015-0.025Ω·cm之间。

在结晶质量与位错控制方面，合盛新材料通过高分辨X射线衍射测试，衬底的5点摇摆曲线半峰宽平均值小于30arcsec，位错密度（TSD≤20/cm²，BPD≤200/cm²）表现优异。加工能力上，公司已具备生产500μm和350μm厚度8英寸衬底的成熟工艺，产品面型数据达到国际先进水平。

外延工艺验证中，采用合盛8英寸衬底生产的外延片在膜厚均匀性、掺杂均匀性、致命缺陷密度等方面均表现突出。这一成就不仅为合盛新材料的未来发展注入动力，也为全球半导体产业的高质量发展提供了有力支撑。公司将继续深耕半导体材料领域，推动全球科技进步。