合盛硅业的子公司宁波合盛新材料有限公司宣布，其8英寸导电型4H-SiC衬底项目已实现全线贯通，这一成就标志着公司在第三代半导体材料领域取得了重大技术突破，正式迈入行业领先行列。

经过五年的技术研究和开发，合盛新材料成功掌握了从高纯石墨纯化、碳化硅多晶粉料制备到单晶碳化硅生长、衬底加工的全流程核心技术。自2023年起，公司专注于8英寸导电型4H-SiC衬底技术的研发，经过近两年的努力，现已能够稳定量产高质量产品。

该公司生产的8英寸导电型4H-SiC衬底在微管密度、4H晶型面积比例、电阻率等关键性能指标上均表现出色，微管密度降低至0.05/cm²以下，4H晶型面积比例达到100%，电阻率稳定在0.015-0.025Ω·cm之间。在结晶质量与位错控制方面，衬底的5点摇摆曲线半峰宽平均值小于30arcsec，位错密度表现优异。

合盛新材料还具备生产500μm和350μm厚度8英寸衬底的成熟工艺，产品面型数据达到国际先进水平。此外，公司严格控制衬底表面金属离子浓度，确保产品符合客户对表面质量的高标准要求。

在外延工艺验证中，采用合盛8英寸衬底生产的外延片展现出高于行业平均水平的膜厚均匀性和掺杂均匀性，致命缺陷密度低于0.3颗/cm²，可用面积超过99%。这些成果充分证明了合盛在半导体材料领域的技术创新和实力。