汉磊与世界先进于9月10日宣布达成战略合作，世界先进投资24.8亿新台币认购汉磊私募股，持股13%。

双方将聚焦8寸SiC晶圆技术，推动研发与量产，预计2026年下半年实现量产。此次合作旨在结合双方技术优势，为全球客户提供更具竞争力的解决方案。

汉磊董事长徐建华表示，此次合作将深化双方长期以来的战略伙伴关系，共同推动SiC技术的创新与发展。世界先进董事长方略则强调，双方将整合核心资源，为客户提供全方位的解决方案，并研发绿色能源技术。

在第三类半导体领域，世界先进已有GaN on QST及GaN on Si产品线，其中GaN on QST已量产，GaN on Si预计最快第3季量产，量能或超前者。