汉磊与世界先进公司宣布达成策略性合作，双方将共同推动8英寸碳化硅（SiC）半导体晶圆的研发与生产。世界先进将投资24.8亿元新台币，认购汉磊5000万股私募普通股，从而获得13%的股权。

此次合作的核心是8英寸碳化硅半导体晶圆的制造技术，该技术初期由汉磊转移，预计2026年下半年实现量产。碳化硅材料因其能显著提升能源效率，被广泛看好在电动车、AI数据中心、绿色能源存储、工业控制和消费电子产品等领域的应用前景。

汉磊董事长徐建华表示，此次合作将加强汉磊与世界先进的长期合作关系，通过结合双方的技术优势和市场资源，创造更大的市场价值。世界先进董事长方略则强调，公司目前已掌握电源管理IC、分离式元件及氮化镓（GaN）技术，引入碳化硅技术后，将成为提供全面第3类化合物半导体8英寸晶圆的完整制造商，提供从低功耗到高功率、低频到高频的全面电源管理技术平台。

方略进一步指出，公司期望通过与汉磊的合作，为客户提供更具竞争力的全方位解决方案，并期待共同研发创新的绿色能源技术，为实现低碳和可持续的未来做出贡献。