近期，多家日本企业纷纷宣布进军8英寸键合碳化硅（SiC）衬底市场。键合SiC衬底通过在低电阻多晶SiC支撑衬底上键合一层高质量的单晶SiC薄层，不仅保持了单晶SiC的优异特性，还实现了整个衬底的低电阻和减少电流衰减，从而提供了高性能和具有竞争力的价格。

Resonac（原昭和电工）率先行动，与Soitec签订了联合开发协议，共同开发8英寸SiC。双方将利用Soitec的SmartSiC™技术，提高8英寸碳化硅外延的生产效率，并实现碳化硅外延片业务供应链的多样化。

紧随其后，住友金属矿山株式会社及其全资子公司Sicoxs Coparation也宣布将在Sicoxs的Ohkuchi工厂建设一条新的8英寸SiCkrest大规模生产线。住友金属预计，到2025财年下半年，键合SiC衬底的月产能将超过10,000片（6英寸等效）。同时，Sicoxs还计划开始向其被许可方供应多晶SiC支撑基板，进一步拓展其业务范围。

东海碳素作为碳和石墨产品的综合制造商，也不甘落后。公司计划投资54亿日元在日本神奈川县茅崎市建立一条多晶SiC晶圆专线，并预计将于2024年12月完成建设。东海炭素开发的层压SiC晶圆具有独特的工艺，通过将带有预刻槽的单晶SiC晶圆与多晶SiC晶圆键合，然后加热剥离刻槽部分，在作为衬底的多晶SiC晶圆上形成单晶SiC薄膜。

此外，东海炭素还与法国半导体材料制造商Soitec达成了合作，将在中长期内为Soitec供应6英寸和8英寸多晶SiC晶圆。除了在日本茅崎市设立多晶SiC专线外，东海炭素还计划在其位于韩国京畿道安城市的现有工厂生产多晶SiC，进一步拓展其全球业务。