合盛硅业旗下的宁波合盛新材料有限公司（合盛新材料）近日传来振奋人心的消息，其精心研发的8英寸导电型4H-SiC衬底项目已全面竣工并顺利实现全线贯通。

合盛新材料此次推出的8英寸导电型4H-SiC衬底，在性能上实现了质的飞跃。通过精细的工艺调控和技术革新，该衬底在微管密度、晶体完整度、电阻率稳定性等多个关键指标上均达到了行业领先水平。微管密度的显著降低至0.05/cm²以下，确保了衬底的高纯度与卓越品质；而4H晶型面积比例的完美达成，则体现了晶体结构的完美无缺与高度稳定性。此外，电阻率的精准控制，进一步证明了该材料在导电性能上的卓越表现。

在外延工艺的实际应用中，合盛新材料8英寸衬底的表现同样令人瞩目。基于该衬底生产的外延片，在膜厚均匀性、掺杂均匀性等方面均展现出超越行业平均水平的性能，致命缺陷密度更是低至0.3颗/cm²以下，可用面积高达99%以上。这一系列优异的数据，不仅验证了合盛新材料在半导体材料研发方面的深厚功底，更为其赢得了市场的广泛认可与高度评价。