罗姆半导体推动SiC技术普及,加速8英寸衬底生产
来源:ictimes 发布时间:2024-10-24 分享至微信

罗姆半导体在SiC(碳化硅)技术领域取得显著进展,助力SiC在电动汽车等领域的快速普及。随着SiC上游衬底价格的下降,罗姆认为制造性能优异且具有成本竞争力的产品是未来的关键。罗姆在2009年收购了德国SiCrystal公司,拥有了SiC衬底制造能力,并具备SiC功率器件的IDM制造能力,实现了全产业链布局。


在车载应用领域,罗姆的SiC业务中约六成为电动汽车应用,预计2024财年这一比例将进一步增加。SiC在电动汽车中的主要应用是主驱逆变器,随着成本下降,SiC主驱逆变器的应用正从高端车型向中低端车型渗透。


罗姆推出了用于主机逆变器的SiC塑封模块TRCDRIVE pack™,该产品采用罗姆自有的结构设计,扩大了散热面积,实现了紧凑型封装,并搭载了低导通电阻的第4代SiC MOSFET,实现了业界超高功率密度,有助于xEV逆变器的小型化。


为加速SiC技术的市场化,罗姆计划于2025年推出基于8英寸衬底的第5代SiC MOSFET产品,并提前了第6代及第7代产品的市场投入计划。罗姆通过提供多种形态的SiC产品和系统级解决方案,强化了在中国市场的地位,与多家中国OEM和Tier1厂商建立了深度合作关系,推动了SiC产品在中国市场的应用。


面对SiC市场日益激烈的竞争,罗姆的衬底制造能力和系统级解决方案的提供,将有助于公司在竞争中扩大市场份额,实现制造性能更好、成本更具竞争力的产品。随着8英寸SiC衬底的应用和新一代SiC MOSFET产品的推出,罗姆有望在SiC市场中占据有利地位。


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