世界先进携手汉磊,共拓8英寸碳化硅晶圆
来源:ictimes 发布时间:2024-09-13 分享至微信
9月10日,晶圆代工巨头世界先进宣布了一项战略投资计划,拟斥资24.8亿新台币(相当于人民币约5.5亿元),旨在通过收购汉磊科技公司13%的股权,携手并进,共同开拓8英寸碳化硅(SiC)晶圆技术的研发与制造新纪元。
汉磊坐落于中国台湾新竹科学园区,长期深耕于碳化硅及氮化镓代工领域,虽已拥有4/5英寸及两座6英寸晶圆厂的坚实基础,但在迈向8英寸化合物半导体生产的征途上,却面临自建厂房成本高企的挑战。
而世界先进,坐拥五座8英寸晶圆厂及成熟的氮化镓代工业务,唯独在碳化硅技术上略显不足。两者的结合,恰如天作之合,实现了资源的完美互补与成本的有效控制。
根据双方规划,初期技术将由汉磊转移,预计于2026年下半年正式步入量产阶段。这不仅标志着汉磊在8英寸碳化硅领域的重大突破,也为世界先进增添了新的技术维度,使其在电源管理IC、分立器件及氮化镓业务之外,成功构建起涵盖第三代化合物半导体的完整8英寸晶圆制造能力。
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