SK海力士成功研发出1c DDR5 DRAM技术，超越行业巨头三星电子。此次研发的10纳米级第六代DRAM技术，不仅运行速度提升11%，能源效率也显著改善9%以上，标志着SK海力士在DRAM领域取得了重要进展。

SK海力士通过扩展第五代10纳米平台，顺利过渡到1c制程，减少了试错成本，并提升了生产效率达30%以上。新材料的应用和设计技术的革新，进一步巩固了其在成本竞争力上的优势。

这款高效能DRAM产品主要针对数据中心市场，SK海力士计划于2024年完成量产准备，并于2025年开始向全球客户供货。在AI时代，数据中心能耗不断攀升，SK海力士的1c DRAM有望帮助云服务客户降低高达30%的用电成本。

此前，三星曾宣布其1b DRAM量产计划，并预计年底前推出10纳米第六代DRAM。然而，SK海力士的此次成功研发，无疑给三星带来了不小的压力。业界正密切关注三星是否能如期量产，以逆转当前局势。

SK海力士DRAM研发副社长金锺焕表示，公司将把1c制程技术应用于更广泛的DRAM产品线，包括HBM、LPDDR6和GDDR7等，为客户提供更具竞争力的产品解决方案。