近日，半导体行业的巨头SK海力士宣布了一项具有里程碑意义的成就——全球范围内首次成功研发出采用尖端第六代10纳米级（1c）技术的16Gb DDR5 DRAM。这一突破不仅彰显了SK海力士在超微细化存储工艺领域的卓越实力，更标志着半导体存储技术迈入了一个全新的时代。

SK海力士对此表示：“面对10纳米级DRAM技术日益加剧的挑战，我们依托业界领先的第五代（1b）技术基础，成功提升了设计精度，率先跨越了技术障碍。我们计划在年内完成1c DDR5 DRAM的量产准备，并自明年起正式投放市场，持续引领半导体存储器市场的创新发展。”

此次研发，SK海力士巧妙地采用了基于1b DRAM平台的扩展策略，不仅有效降低了技术迭代过程中的风险，还最大化地继承了1b工艺在高性能DRAM领域的优势，顺利过渡到1c工艺。此外，公司在部分关键EUV工艺中引入了新材料，并对整个工艺链进行了深度优化，确保了产品的成本竞争力。同时，设计技术的革新使得1c工艺的生产效率相比前代提升了超过30%。