SK海力士宣布已成功研发出1c DDR5 DRAM技术，领先三星电子成为首家实现10纳米级第六代DRAM技术的厂商。其16Gb DDR5产品速度提升11%，能效改善9%以上，预计将于2025年供应市场。

SK海力士通过扩展第五代技术平台，减少试错，高效转移优势至1c制程，并在EUV制程中引入新材料，提升成本竞争力。设计技术革新使生产效率较上一代提升30%以上。

该产品专为高效能数据中心设计，SK海力士预测，采用其1c DRAM可助数据中心电费最高减少30%。三星虽曾宣布量产计划，但SK海力士的率先突破令局势生变。

SK海力士计划将1c技术应用于HBM、LPDDR6、GDDR7等高端产品，为客户提供差异化价值，巩固其在DRAM市场的领先地位。