2024年8月29日，SK海力士宣布成功开发全球首款基于第六代10纳米级（1c）工艺的16Gb DDR5 DRAM。这一突破标志着公司在超微细化存储工艺技术方面取得了重要进展，并将引领半导体行业的新潮流。

SK海力士利用其第五代1b工艺平台扩展开发了1c工艺，这一创新方法不仅减少了工艺开发过程中的错误，还最大化地利用了1b工艺的优势。公司在EUV工艺中应用了新材料并进行了优化，确保了生产成本的竞争力，并使得1c工艺的生产率比前一代提升了30%以上。

新一代1c DDR5 DRAM将广泛应用于高性能数据中心，运行速度达到8Gbps，相比前代产品提升了11%。在能效方面，这款产品也比上一代提升了9%，预计能为数据中心节省高达30%的电费。随着人工智能时代的到来，这一技术将对数据中心运营产生重要影响。

SK海力士DRAM开发副总裁金锺焕表示：“1c工艺技术兼具最高性能与成本优势，未来将应用于HBM、LPDDR6、GDDR7等先进DRAM产品，为客户提供独特的价值。我们将继续保持DRAM市场的领导地位，巩固在AI存储解决方案领域的领先地位。”