SK海力士再创佳绩，成功研制出全球首款第六代10纳米级（1c）DDR5 DRAM，存储容量高达16Gb。这一突破性成果标志着SK海力士在超微细化存储技术领域的领先地位。

依托其成熟的第五代（1b）技术基础，SK海力士不仅克服了技术难关，还显著提升了设计效率和生产效能，计划于今年内完成量产准备，并计划从2025年起向市场供应，引领半导体存储器行业的发展新潮流。

这款1c DDR5 DRAM特别针对高效能数据中心设计，其运行速度高达8Gbps，较之前一代产品提升了11%，能效也实现了9%以上的显著提升。随着AI技术的广泛应用，数据中心能耗不断增加，SK海力士预计，若全球云服务客户采用其1c DRAM技术，电费最高可减少30%，极大地降低了运营成本。

SK海力士副社长金锺焕表示，公司将继续发挥1c制程技术的优势，将其应用于HBM、LPDDR6、GDDR7等高端DRAM产品，为客户提供更具差异化的解决方案。