ictimes消息，近期，SK 海力士宣布上调其 DDR5 DRAM 芯片价格，涨幅达到15%-20%。此次提价背后，主要原因是 HBM3/3E 内存产能对 DDR5 生产造成了明显挤压。据供应链内部人士透露，随着高性能 HBM3/3E 内存需求的激增，生产资源被优先分配给这些更为先进的产品，导致 DDR5 的供应相对紧张，从而引发价格上涨。

早在今年6月，市场已经传出 DDR5 内存价格将有10%-20%的上涨空间。随着各大厂商为2024年的DDR5芯片分配产能，市场对价格下调的预期已变得不现实。特别是进入下半年，正值电子产品销售旺季，内存需求攀升，进一步推高了价格。

此外，SK 海力士和其他主要厂商正在加速推进下一代 DRAM 技术的开发，预计将在2024年至2025年推出采用EUV光刻技术的1c nm DRAM。虽然这将带来更高的制造成本，但也有望推动内存性能的显著提升。

总体而言，SK 海力士此举不仅反映了内存市场的供需变化，也显示出企业在应对高端技术需求时的灵活调整能力。这一涨价动作可能会对市场产生一定的影响，但从长远来看，这也是技术进步带来的必然结果。