韩国半导体巨头SK海力士近日宣布，其最新研发的第六代10纳米（1c）制程的16Gb DDR5 DRAM芯片正式亮相。这款芯片不仅在存储性能上实现了显著提升，还在能效方面设立了新标杆。

SK海力士在该芯片的开发中突破了技术难关。尽管10纳米级别的制程技术要求更高，但通过优化现有的第五代（1b）DRAM技术，SK海力士成功提升了生产效率和芯片性能。新款芯片的传输速度达到了8Gbps，相较前代产品提高了11%，同时能效也提升了9%。这一进展无疑将为高性能数据中心提供更具竞争力的解决方案。

值得一提的是，1c制程技术在保持高性能的同时，生产率比前代提升了30%以上。此外，SK海力士还对EUV制程材料进行了创新，使得生产成本更加具备市场竞争力。预计这款芯片的量产将在2025年正式启动，并且大规模出货将从明年开始。

在人工智能时代，对数据中心的需求不断增加，电力消耗也随之上升。SK海力士的这一新技术不仅能提升数据处理速度，还能帮助云服务提供商将电费降低多达30%。这一进展将极大推动存储器市场的发展，并为未来的数据中心运维带来更高效、更经济的解决方案。