三星计划在今年底进行第六代高带宽内存（HBM）的流片工作，这标志着其在HBM技术领域的进一步发展。流片是芯片设计过程中的关键环节，涉及将设计蓝图交付给代工厂进行生产。预计HBM4样品将在今年底完成流片，并在明年年初推出，目标是在2025年底实现大规模商业生产。

流片完成后，三星将对样品进行审查，并根据反馈调整设计和优化工艺。与此同时，SK海力士也宣布计划在明年晚些时候开始生产其HBM4产品，显示出两家韩国芯片制造商在HBM技术上的激烈竞争。

在制造工艺上，三星和SK海力士均选择利用代工厂生产芯片上的逻辑芯片，而不是使用上一代HBM芯片的DRAM工艺。三星将使用自己的4nm工艺，而SK海力士则可能采用台积电的5nm和12nm工艺。

对于HBM的核心内存部分，三星计划采用Gen 6 10nm（1c）DRAM技术。SK海力士则在考虑是否跟随三星的步伐，或是继续使用Gen 5 10nm（1b）DRAM。据悉，SK海力士原本倾向于1b DRAM，但三星的技术选择可能影响其最终决定。

两家公司的HBM4产品预计将被应用于英伟达和AMD的未来AI加速器中，进一步推动高性能计算和人工智能领域的发展。随着这两家芯片巨头在HBM技术上的不断进步，我们有望看到更高性能的计算解决方案问世。