随着HBM（高带宽存储器）DRAM堆叠层数的跃升，三星电子与SK海力士正携手合作公司，加速聚焦环与剥离技术的革新。HBM通过TSV（矽穿孔）技术垂直堆叠DRAM，其堆叠层数的增加对材料与技术提出了更高要求。

据报道，为应对HBM堆叠层数的提升，三星与SK海力士正探索TSV制程材料的革新，考虑采用碳化矽等新材料替代传统石英聚焦环，以增强稳定性和耐用性。

同时，随着堆叠层数突破16层，剥离技术也将迎来变革，从传统的机械剥离转向雷射剥离技术，以解决超薄晶圆剥离中的裂纹问题。

设备制造商正积极研发LLO（雷射剥离）设备，而三星与SK海力士已将准分子雷射及紫外光雷射等方案纳入研发议程，预计将在HBM4等新一代产品中引入该技术，引领HBM技术迈向新高度。