三星电子宣布在韩国平泽P4厂追加投资，目标建设第六代10纳米级DRAM产线（1c DRAM），预计2025年6月启动。此举紧随NAND Flash产线投资之后，显示出三星对存储器市场回暖的信心。

1c DRAM作为未商用化产品，三星与SK海力士正加速量产准备，三星计划2024年底开始生产，为新一代DRAM量产铺路。P4厂自2022年建设以来，因市场低迷一度延缓生产线建设，但随市场回暖，三星迅速重启投资，并计划将P4打造为先进存储器生产中心。

同时，三星瞄准高带宽存储器（HBM）市场，考虑将1c DRAM应用于2025年下半出货的第六代HBM4中，以满足AI和大数据处理需求。

此外，随着AI普及，企业级eSSD需求激增，三星正全力提升NAND产能，P4厂的加入将进一步缓解生产压力，巩固其在存储器市场的领先地位。